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IRG7PH35UD1MPBF

IRG7PH35UD1MPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRG7PH35UD1MPBF
PNEDA Part # IRG7PH35UD1MPBF
Descrizione IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.488
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7PH35UD1MPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7PH35UD1MPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG7PH35UD1MPBF, IRG7PH35UD1MPBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 290,23 KB)
PDFIRG7PH35UD1MPBF Datasheet Copertura
IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 2 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 3 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 4 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 5 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 6 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 7 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 8 IRG7PH35UD1MPBF Datasheet Pagina 9

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IRG7PH35UD1MPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
Potenza - Max179W
Switching Energy620µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge130nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/160ns
Condizione di test600V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD

I prodotti a cui potresti essere interessato

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

160µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/73ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

FGY160T65SPD-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 160A

Potenza - Max

882W

Switching Energy

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

53ns/98ns

Condizione di test

400V, 160A, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

132ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

47A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 32A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

89nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/260ns

Condizione di test

720V, 32A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

190ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

IRG6S320UTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

Potenza - Max

114W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

46nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/89ns

Condizione di test

196V, 12A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Venduto di recente

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

PDTC143ZT,235

PDTC143ZT,235

Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

LT3080EMS8E#PBF

LT3080EMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8MSOP

7443551131

7443551131

Wurth Electronics

FIXED IND 13UH 10A 11.2 MOHM SMD

AD8556ARZ

AD8556ARZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

MSS1P4-M3/89A

MSS1P4-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

NRVBS3100T3G

NRVBS3100T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC