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IRG7CH75UEF-R

IRG7CH75UEF-R

Solo per riferimento

Numero parte IRG7CH75UEF-R
PNEDA Part # IRG7CH75UEF-R
Descrizione IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7CH75UEF-R Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7CH75UEF-R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG7CH75UEF-R, IRG7CH75UEF-R Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 253,17 KB)
PDFIRG7CH75UEF-R Datasheet Copertura
IRG7CH75UEF-R Datasheet Pagina 2 IRG7CH75UEF-R Datasheet Pagina 3 IRG7CH75UEF-R Datasheet Pagina 4

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IRG7CH75UEF-R Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 100A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge770nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C120ns/890ns
Condizione di test600V, 100A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT and Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

275nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

NGTB15N120IHLWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

160nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/165ns

Condizione di test

600V, 15A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRGR3B60KD2TRP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7.8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

62µJ (on), 39µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/110ns

Condizione di test

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

77ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

IRGSL6B60KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Potenza - Max

90W

Switching Energy

110µJ (on), 135µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/215ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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