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IRG7CH28UEF

IRG7CH28UEF

Solo per riferimento

Numero parte IRG7CH28UEF
PNEDA Part # IRG7CH28UEF
Descrizione IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7CH28UEF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7CH28UEF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG7CH28UEF, IRG7CH28UEF Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 90,79 KB)
PDFIRG7CH28UEF Datasheet Copertura
IRG7CH28UEF Datasheet Pagina 2 IRG7CH28UEF Datasheet Pagina 3 IRG7CH28UEF Datasheet Pagina 4

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IRG7CH28UEF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.55V @ 15V, 2.5A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge60nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/225ns
Condizione di test600V, 15A, 22Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Potenza - Max

56W

Switching Energy

20µJ (on), 68µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/76ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG4BC40FPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

49A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

196A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

370µJ (on), 1.81mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/240ns

Condizione di test

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

HGTG20N60C3D

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

164W

Switching Energy

500µJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

91nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/151ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

450µJ (on), 440µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

28nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/93ns

Condizione di test

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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