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IRG5U75HH12E

IRG5U75HH12E

Solo per riferimento

Numero parte IRG5U75HH12E
PNEDA Part # IRG5U75HH12E
Descrizione MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.074
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG5U75HH12E Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG5U75HH12E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
IRG5U75HH12E, IRG5U75HH12E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 802,79 KB)
PDFIRG5U75HH12E Datasheet Copertura
IRG5U75HH12E Datasheet Pagina 2 IRG5U75HH12E Datasheet Pagina 3 IRG5U75HH12E Datasheet Pagina 4 IRG5U75HH12E Datasheet Pagina 5 IRG5U75HH12E Datasheet Pagina 6

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IRG5U75HH12E Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)130A
Potenza - Max540W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9.5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaPOWIR ECO 2™ Module
Pacchetto dispositivo fornitorePOWIR ECO 2™

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

APTGT200DA60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FZ1800R12HP4B9HOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2700A

Potenza - Max

10500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 1800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS215R04A1E3DBOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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-

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