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IRG4BC20SD

IRG4BC20SD

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC20SD
PNEDA Part # IRG4BC20SD
Descrizione IGBT 600V 19A 60W TO220AB
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC20SD Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC20SD
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG4BC20SD, IRG4BC20SD Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 293,14 KB)
PDFIRG4BC20SD Datasheet Copertura
IRG4BC20SD Datasheet Pagina 2 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 3 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 4 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 5 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 6 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 7 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 8 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 9 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 10 IRG4BC20SD Datasheet Pagina 11

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IRG4BC20SD Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)19A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)38A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 10A
Potenza - Max60W
Switching Energy320µJ (on), 2.58mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge27nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C62ns/690ns
Condizione di test480V, 10A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)37ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

APT75GP120B2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

Potenza - Max

1042W

Switching Energy

1620µJ (on), 2500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

320nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/163ns

Condizione di test

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

800µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

310nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

110ns/270ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

67ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

AUIRGPS4067D1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

8.2mJ (on), 2.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

360nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

69ns/198ns

Condizione di test

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SUPER-247™ (TO-274AA)

RJH60F4DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

Potenza - Max

235.8W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/85ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT30GT60BRG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

525µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

145nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/225ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

20CTQ045

20CTQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

RB496EATR

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Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

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1SS355VMTE-17

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

TAJE107M025RNJ

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CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

EE-SX1109

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Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

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LM2902N

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HCTL-1101-PLC

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