IRG4BC10SD-L
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| Numero parte | IRG4BC10SD-L |
| PNEDA Part # | IRG4BC10SD-L |
| Descrizione | IGBT 600V 14A 38W TO262 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.844 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC10SD-L Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG4BC10SD-L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IRG4BC10SD-L Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 14A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Potenza - Max | 38W |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 76ns/815ns |
| Condizione di test | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 28ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Potenza - Max 72W Switching Energy 412µJ (on), 140µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 53nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 48ns/120ns Condizione di test 300V, 10A, 30Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore DPAK |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A Potenza - Max 250W Switching Energy 115µJ (on), 165µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 9ns/28ns Condizione di test 600V, 13A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 198A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A Potenza - Max 833W Switching Energy 605µJ (on), 895µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/90ns Condizione di test 400V, 65A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Potenza - Max 100W Switching Energy 360µJ (on), 510µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 67nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 26ns/130ns Condizione di test 480V, 16A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
