Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRFU7540PBF

IRFU7540PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFU7540PBF
PNEDA Part # IRFU7540PBF
Descrizione MOSFET N CH 60V 90A I-PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFU7540PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFU7540PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IRFU7540PBF Datasheet
  • where to find IRFU7540PBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFU7540PBF
  • IRFU7540PBF PDF Datasheet
  • IRFU7540PBF Stock

  • IRFU7540PBF Pinout
  • Datasheet IRFU7540PBF
  • IRFU7540PBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFU7540PBF Price
  • IRFU7540PBF Distributor

IRFU7540PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®, StrongIRFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4360pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreIPAK (TO-251)
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOWF15S60

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

717pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

27.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

IXFX80N15Q

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

TK55S10N1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK+

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQB6N60TM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPCP8003-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

840mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PS-8 (2.9x2.4)

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Venduto di recente

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

MAX890LESA+T

MAX890LESA+T

Maxim Integrated

IC SW MOSFET PUR PCH HSIDE 8SOIC

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PUSH BUTTON ON/OFF CTRLR 8DFN

A700X157M010ATE015

A700X157M010ATE015

KEMET

CAP ALUM POLY 150UF 20% 10V SMD

BK0603HS330-T

BK0603HS330-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

MAX6818EAP

MAX6818EAP

Maxim Integrated

IC DEBOUNCER SWITCH OCTAL 20SSOP

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

0154002.DRT

0154002.DRT

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD