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IRFSL4610

IRFSL4610

Solo per riferimento

Numero parte IRFSL4610
PNEDA Part # IRFSL4610
Descrizione MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.960
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFSL4610 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFSL4610
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFSL4610, IRFSL4610 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 450,36 KB)
PDFIRFSL4610 Datasheet Copertura
IRFSL4610 Datasheet Pagina 2 IRFSL4610 Datasheet Pagina 3 IRFSL4610 Datasheet Pagina 4 IRFSL4610 Datasheet Pagina 5 IRFSL4610 Datasheet Pagina 6 IRFSL4610 Datasheet Pagina 7 IRFSL4610 Datasheet Pagina 8 IRFSL4610 Datasheet Pagina 9 IRFSL4610 Datasheet Pagina 10 IRFSL4610 Datasheet Pagina 11

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IRFSL4610 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C73A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3550pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1445pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

49.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BTS247Z E3062A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TEMPFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 25V

Funzione FET

Temperature Sensing Diode

Dissipazione di potenza (max)

120W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-5-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5670pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TPCP8001-H(TE85LFM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PS-8 (2.9x2.4)

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2061pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

71W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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