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IRFP350LC

IRFP350LC

Solo per riferimento

Numero parte IRFP350LC
PNEDA Part # IRFP350LC
Descrizione MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFP350LC Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFP350LC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFP350LC, IRFP350LC Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.310,43 KB)
PDFIRFP350LC Datasheet Copertura
IRFP350LC Datasheet Pagina 2 IRFP350LC Datasheet Pagina 3 IRFP350LC Datasheet Pagina 4 IRFP350LC Datasheet Pagina 5 IRFP350LC Datasheet Pagina 6 IRFP350LC Datasheet Pagina 7 IRFP350LC Datasheet Pagina 8 IRFP350LC Datasheet Pagina 9

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IRFP350LC Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta), 32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

95W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPT020N10N3ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 272µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HSOF-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerSFN

NTD60N02R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta), 58W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI2343DS-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3142pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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