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IRFIZ24G

IRFIZ24G

Solo per riferimento

Numero parte IRFIZ24G
PNEDA Part # IRFIZ24G
Descrizione MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFIZ24G Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFIZ24G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFIZ24G, IRFIZ24G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.559,78 KB)
PDFIRFIZ24G Datasheet Copertura
IRFIZ24G Datasheet Pagina 2 IRFIZ24G Datasheet Pagina 3 IRFIZ24G Datasheet Pagina 4 IRFIZ24G Datasheet Pagina 5 IRFIZ24G Datasheet Pagina 6 IRFIZ24G Datasheet Pagina 7 IRFIZ24G Datasheet Pagina 8

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IRFIZ24G Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)37W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

135W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

ZXMP6A17GQTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Temperatura di esercizio

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