IRFHM830DTR2PBF
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| Numero parte | IRFHM830DTR2PBF |
| PNEDA Part # | IRFHM830DTR2PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFHM830DTR2PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFHM830DTR2PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFHM830DTR2PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (3x3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-VQFN Exposed Pad |
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