IRFH7932TR2PBF
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Numero parte | IRFH7932TR2PBF |
PNEDA Part # | IRFH7932TR2PBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.696 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFH7932TR2PBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFH7932TR2PBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFH7932TR2PBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 104A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.4W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) Single Die |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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