IRFBC40ASTRRPBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRFBC40ASTRRPBF |
| PNEDA Part # | IRFBC40ASTRRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.202 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRFBC40ASTRRPBF Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRFBC40ASTRRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRFBC40ASTRRPBF, IRFBC40ASTRRPBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 401,54 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRFBC40ASTRRPBF Datasheet
- where to find IRFBC40ASTRRPBF
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix IRFBC40ASTRRPBF
- IRFBC40ASTRRPBF PDF Datasheet
- IRFBC40ASTRRPBF Stock
- IRFBC40ASTRRPBF Pinout
- Datasheet IRFBC40ASTRRPBF
- IRFBC40ASTRRPBF Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- IRFBC40ASTRRPBF Price
- IRFBC40ASTRRPBF Distributor
IRFBC40ASTRRPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1036pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 6.2W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerSMD, Flat Leads |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
