IRF9Z34NSTRLPBF
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Numero parte | IRF9Z34NSTRLPBF |
PNEDA Part # | IRF9Z34NSTRLPBF |
Descrizione | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.268 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF9Z34NSTRLPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF9Z34NSTRLPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF9Z34NSTRLPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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