IRF9610
Solo per riferimento
| Numero parte | IRF9610 |
| PNEDA Part # | IRF9610 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.562 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF9610 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRF9610 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRF9610 Datasheet
- where to find IRF9610
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix IRF9610
- IRF9610 PDF Datasheet
- IRF9610 Stock
- IRF9610 Pinout
- Datasheet IRF9610
- IRF9610 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- IRF9610 Price
- IRF9610 Distributor
IRF9610 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LPTS Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V Vgs (massimo) +10V, -20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7760pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+ Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 780W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 [L] Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
