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IRF7700GTRPBF

IRF7700GTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7700GTRPBF
PNEDA Part # IRF7700GTRPBF
Descrizione MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7700GTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7700GTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF7700GTRPBF, IRF7700GTRPBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 241,09 KB)
PDFIRF7700GTRPBF Datasheet Copertura
IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7700GTRPBF Datasheet Pagina 9

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IRF7700GTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89nC @ 5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4300pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 8V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

834pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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