IRF7503TRPBF
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| Numero parte | IRF7503TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7503TRPBF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 81.738 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF7503TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7503TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRF7503TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 30V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA, 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V Potenza - Max 446mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563F |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
