IRF7338PBF
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Numero parte | IRF7338PBF |
PNEDA Part # | IRF7338PBF |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.878 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7338PBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF7338PBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRF7338PBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A, 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 9V |
Potenza - Max | 2W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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