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IRF7204

IRF7204

Solo per riferimento

Numero parte IRF7204
PNEDA Part # IRF7204
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7204 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7204
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF7204, IRF7204 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 145,19 KB)
PDFIRF7204 Datasheet Copertura
IRF7204 Datasheet Pagina 2 IRF7204 Datasheet Pagina 3 IRF7204 Datasheet Pagina 4 IRF7204 Datasheet Pagina 5 IRF7204 Datasheet Pagina 6 IRF7204 Datasheet Pagina 7 IRF7204 Datasheet Pagina 8 IRF7204 Datasheet Pagina 9

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IRF7204 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro3™/SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RCX700N20

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FM

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

PMPB10XNE,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2175pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020MD-6

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

129W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

Linear L2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 120A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

546nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Venduto di recente

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Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

PC28F00BM29EWHA

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

JS28F128J3F75A

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

ES3J

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SMC Diode Solutions

SMT SUPER FAST RECTIFIER

CY62126EV30LL-45ZSXI

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Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

DG641DY

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Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB