IRF7171MTRPBF
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| Numero parte | IRF7171MTRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7171MTRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 15A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF7171MTRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7171MTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRF7171MTRPBF, IRF7171MTRPBF Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 746,22 KB)
  
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IRF7171MTRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 93A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 56A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
| Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric MN |
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