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IRF7105QTRPBF

IRF7105QTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7105QTRPBF
PNEDA Part # IRF7105QTRPBF
Descrizione MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.626
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7105QTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7105QTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7105QTRPBF, IRF7105QTRPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 593,61 KB)
PDFIRF7105QTRPBF Datasheet Copertura
IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 9 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 10 IRF7105QTRPBF Datasheet Pagina 11

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  • IRF7105QTRPBF Distributor

IRF7105QTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.01mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3340pF @ 13V

Potenza - Max

26W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

3.6W, 4.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Potenza - Max

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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AON6910A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W, 2W

Temperatura di esercizio

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ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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