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IRF7103PBF

IRF7103PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7103PBF
PNEDA Part # IRF7103PBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7103PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7103PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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IRF7103PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

AO4852L

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 30V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

EPC2106

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.73nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

85V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

112A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Potenza - Max

150W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

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Produttore

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Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

765pF @ 15V

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