IRF6798MTR1PBF
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| Numero parte | IRF6798MTR1PBF |
| PNEDA Part # | IRF6798MTR1PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.646 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF6798MTR1PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF6798MTR1PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRF6798MTR1PBF, IRF6798MTR1PBF Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 248,26 KB)
  
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IRF6798MTR1PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta), 197A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6560pF @ 13V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
| Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric MX |
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