IRF6720S2TRPBF

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Numero parte | IRF6720S2TRPBF |
PNEDA Part # | IRF6720S2TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.490 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF6720S2TRPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IRF6720S2TRPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IRF6720S2TRPBF, IRF6720S2TRPBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 273,85 KB)
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IRF6720S2TRPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric S1 |
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