IRF6641TRPBF
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Numero parte | IRF6641TRPBF |
PNEDA Part # | IRF6641TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.652 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF6641TRPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF6641TRPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF6641TRPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Ta), 26A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59.9mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MZ |
Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric MZ |
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