IRF5801TRPBF
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| Numero parte | IRF5801TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF5801TRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.246 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF5801TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF5801TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF5801TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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