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IRF2204LPBF

IRF2204LPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF2204LPBF
PNEDA Part # IRF2204LPBF
Descrizione MOSFET N-CH 40V 170A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF2204LPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF2204LPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRF2204LPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 130A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5890pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

430W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

RQ5E030AJTCL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT3

Pacchetto / Custodia

SC-96

IPD65R600E6BTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1565pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 275µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

231nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16250pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HSOG-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Gull Wing

Venduto di recente

IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

STM6601CM2DDM6F

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STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

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ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

CNY75B

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Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

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DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80

50ZL560MEFC12.5X25

50ZL560MEFC12.5X25

Rubycon

CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL

BC560CTA

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ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

4TPE220MAZB

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Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

PM5022-101M-RC

PM5022-101M-RC

Bourns

FIXED IND 100UH 1.7A 190 MOHM