IR2112-2PBF
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| Numero parte | IR2112-2PBF |
| PNEDA Part # | IR2112-2PBF |
| Descrizione | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.592 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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IR2112-2PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IR2112-2PBF |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IR2112-2PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 250mA, 500mA |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 80ns, 40ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-PDIP |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 15.6V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 180mA, 260mA Tipo di ingresso RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 80ns, 45ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4V ~ 12.6V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 7.6A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 3ns, 2ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-WSON (3x3) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 4 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9.5V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.6A, 2.4A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 75V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 20-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 20-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 9A, 9A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 24ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 3.7V, 7.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 1.25A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Tempo di salita / discesa (tipico) 16ns, 16ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-DFN-EP (3x3) |
