IR2011STRPBF
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| Numero parte | IR2011STRPBF |
| PNEDA Part # | IR2011STRPBF |
| Descrizione | HI/LO SIDE DRVR 8SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 82.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IR2011STRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IR2011STRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IR2011STRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side or Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1A, 1A |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 35ns, 20ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC |
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