IPT60R080G7XTMA1
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| Numero parte | IPT60R080G7XTMA1 |
| PNEDA Part # | IPT60R080G7XTMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.252 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPT60R080G7XTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPT60R080G7XTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPT60R080G7XTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-2 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerSFN |
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