IPP50R280CEXKSA1
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Numero parte | IPP50R280CEXKSA1 |
PNEDA Part # | IPP50R280CEXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 22.512 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP50R280CEXKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPP50R280CEXKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IPP50R280CEXKSA1, IPP50R280CEXKSA1 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 2.146,5 KB)
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IPP50R280CEXKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 92W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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