IPI084N06L3GXKSA1
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| Numero parte | IPI084N06L3GXKSA1 |
| PNEDA Part # | IPI084N06L3GXKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO262-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPI084N06L3GXKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPI084N06L3GXKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPI084N06L3GXKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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