IPG20N06S415ATMA2
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| Numero parte | IPG20N06S415ATMA2 |
| PNEDA Part # | IPG20N06S415ATMA2 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.930 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPG20N06S415ATMA2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPG20N06S415ATMA2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N06S415ATMA2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
| Potenza - Max | 50W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 25V Potenza - Max 3.2W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V Potenza - Max 1.9W, 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3x3) |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V Potenza - Max 1.65W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore TLM832DS |
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