IPD50R500CEATMA1
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Numero parte | IPD50R500CEATMA1 |
PNEDA Part # | IPD50R500CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.896 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD50R500CEATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPD50R500CEATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD50R500CEATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ CE |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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