IPD35N10S3L26ATMA1
Solo per riferimento
| Numero parte | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 22.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IPD35N10S3L26ATMA1 Datasheet
- where to find IPD35N10S3L26ATMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1
- IPD35N10S3L26ATMA1 PDF Datasheet
- IPD35N10S3L26ATMA1 Stock
- IPD35N10S3L26ATMA1 Pinout
- Datasheet IPD35N10S3L26ATMA1
- IPD35N10S3L26ATMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPD35N10S3L26ATMA1 Price
- IPD35N10S3L26ATMA1 Distributor
IPD35N10S3L26ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DP Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 |
Produttore IXYS Serie Polar™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Polar3™ Pacchetto / Custodia 24-PowerSMD, 22 Leads |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 115mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523 Pacchetto / Custodia SOT-523 |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ C7 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 590µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2140pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
