IMZ120R090M1HXKSA1
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| Numero parte | IMZ120R090M1HXKSA1 |
| PNEDA Part # | IMZ120R090M1HXKSA1 |
| Descrizione | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.322 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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IMZ120R090M1HXKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IMZ120R090M1HXKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IMZ120R090M1HXKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1.2kV |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +23V, -7V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 707pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
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