IKW75N65EL5XKSA1
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| Numero parte | IKW75N65EL5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IKW75N65EL5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 4.367 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IKW75N65EL5XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IKW75N65EL5XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IKW75N65EL5XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 536W |
| Switching Energy | 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 436nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 40ns/275ns |
| Condizione di test | 400V, 75A, 4Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 114ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Potenza - Max 375W Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 306nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 51ns/160ns Condizione di test 400V, 60A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
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