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IGC18T120T8QX1SA1

IGC18T120T8QX1SA1

Solo per riferimento

Numero parte IGC18T120T8QX1SA1
PNEDA Part # IGC18T120T8QX1SA1
Descrizione IGBT 1200V 15A DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IGC18T120T8QX1SA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGC18T120T8QX1SA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGC18T120T8QX1SA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.42V @ 15V, 15A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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APT25GR120SD15

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

521W

Switching Energy

742µJ (on), 427µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

IRG7PH42UD1MPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

313W

Switching Energy

1.21mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/270ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

RJH60D5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

650µJ (on), 400µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/135ns

Condizione di test

300V, 37A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

IRGP4269DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

440A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Potenza - Max

695W

Switching Energy

1.9mJ (on), 2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

143nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/120ns

Condizione di test

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA Variation

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

Venduto di recente

SZNUP2105LT1G

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ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

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PTC RESET FUSE 30V 200MA 1210

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TVS DIODE 2.8V 10V 8SOIC

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Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 14CERDIP

ATMEGA2561-16AI

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

742792410

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Wurth Electronics

FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN

1812L160/12DR

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Littelfuse

PTC RESET FUSE 12V 1.6A 1812

BYV72EW-200,127

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DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3