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IDT71V3579YS85PF8

IDT71V3579YS85PF8

Solo per riferimento

Numero parte IDT71V3579YS85PF8
PNEDA Part # IDT71V3579YS85PF8
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT71V3579YS85PF8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT71V3579YS85PF8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT71V3579YS85PF8, IDT71V3579YS85PF8 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 236,67 KB)
PDF71V3577YS85PFG Datasheet Copertura
71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 2 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 3 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 4 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 5 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 6 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 7 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 8 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 9 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 10 71V3577YS85PFG Datasheet Pagina 11

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IDT71V3579YS85PF8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

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Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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93C66C-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT46V32M16TG-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

MB85RS256TYPNF-G-BCERE1

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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