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IDT71V124SA10PH

IDT71V124SA10PH

Solo per riferimento

Numero parte IDT71V124SA10PH
PNEDA Part # IDT71V124SA10PH
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT71V124SA10PH Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT71V124SA10PH
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT71V124SA10PH, IDT71V124SA10PH Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 115,83 KB)
PDFIDT71V124SA20YI8 Datasheet Copertura
IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 2 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 3 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 4 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 5 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 6 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 7 IDT71V124SA20YI8 Datasheet Pagina 8

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  • IDT71V124SA10PH Distributor

IDT71V124SA10PH Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione3.15V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP II

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

24Gb (384M x 64)

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-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

24FC64T-I/MNY

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (256M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x10)

AT29C040A-90TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

S25FS128SDSBHI200

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

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