IDP08E65D1XKSA1
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| Numero parte | IDP08E65D1XKSA1 |
| PNEDA Part # | IDP08E65D1XKSA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.888 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDP08E65D1XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDP08E65D1XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDP08E65D1XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 4500V Corrente - Media Rettificata (Io) 475A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.66V @ 1000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 4500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia B-8 Pacchetto dispositivo fornitore B-8 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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