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IDP04E120

IDP04E120

Solo per riferimento

Numero parte IDP04E120
PNEDA Part # IDP04E120
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDP04E120 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDP04E120
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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IDP04E120 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)11.2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.15V @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)115ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 267A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB (DO-5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 180°C

MBRB10H90CTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

760mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3.5µA @ 90V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

BAT165AX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

740mV @ 750mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

8µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SS1FH6-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

90pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

ES1CLHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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