IDM08G120C5XTMA1
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| Numero parte | IDM08G120C5XTMA1 |
| PNEDA Part # | IDM08G120C5XTMA1 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDM08G120C5XTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDM08G120C5XTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDM08G120C5XTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.95V @ 8A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.47µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 7.9pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221AC, SMA Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore DO-221AC (SlimSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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