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IDH05G65C5XKSA2

IDH05G65C5XKSA2

Solo per riferimento

Numero parte IDH05G65C5XKSA2
PNEDA Part # IDH05G65C5XKSA2
Descrizione DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.136
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDH05G65C5XKSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDH05G65C5XKSA2
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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IDH05G65C5XKSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)650V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 5A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr90µA @ 650V
Capacità @ Vr, F160pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

130pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SE10FJ-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

780ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

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