IDH04S60CAKSA1
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| Numero parte | IDH04S60CAKSA1 |
| PNEDA Part # | IDH04S60CAKSA1 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.248 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDH04S60CAKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDH04S60CAKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
IDH04S60CAKSA1, IDH04S60CAKSA1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 551,08 KB)
  
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IDH04S60CAKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F 310pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 360mV @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F 90pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore S-FLAT (1.6x3.5) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Powermite®3 Pacchetto dispositivo fornitore Powermite 3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
