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HUFA75842S3S

HUFA75842S3S

Solo per riferimento

Numero parte HUFA75842S3S
PNEDA Part # HUFA75842S3S
Descrizione MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUFA75842S3S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUFA75842S3S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HUFA75842S3S, HUFA75842S3S Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 140,76 KB)
PDFHUFA75842S3ST Datasheet Copertura
HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 2 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 3 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 4 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 5 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 6 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 7 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 8 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 9 HUFA75842S3ST Datasheet Pagina 10

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HUFA75842S3S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C43A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175nC @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2730pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)230W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FDN336P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRF1324LPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7590pF @ 24V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDBL0240N100

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8755pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HPSOF

Pacchetto / Custodia

8-PowerSFN

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 84µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

C2M0025120D

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

463W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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