HSM830GE3/TR13
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| Numero parte | HSM830GE3/TR13 |
| PNEDA Part # | HSM830GE3-TR13 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.110 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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HSM830GE3/TR13 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HSM830GE3/TR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
HSM830GE3/TR13, HSM830GE3/TR13 Datasheet
(Totale pagine: 2, Dimensioni: 105,96 KB)
  
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HSM830GE3/TR13 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 30V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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