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HSM550GE3/TR13

HSM550GE3/TR13

Solo per riferimento

Numero parte HSM550GE3/TR13
PNEDA Part # HSM550GE3-TR13
Descrizione DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO215AB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 22 - dic 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HSM550GE3/TR13 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHSM550GE3/TR13
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
HSM550GE3/TR13, HSM550GE3/TR13 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 105,04 KB)
PDFHSM560G/TR13 Datasheet Copertura
HSM560G/TR13 Datasheet Pagina 2

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HSM550GE3/TR13 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If650mV @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr250µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-215AB, SMC Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-215AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

7.5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

180µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

375pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247HC-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N3292

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 100A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

21mA @ 500V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 200°C

DGS9-030AS

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

11A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.3mA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MUR160A R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

27pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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