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HSM180JE3/TR13

HSM180JE3/TR13

Solo per riferimento

Numero parte HSM180JE3/TR13
PNEDA Part # HSM180JE3-TR13
Descrizione DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214BA
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.838
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HSM180JE3/TR13 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHSM180JE3/TR13
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
HSM180JE3/TR13, HSM180JE3/TR13 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 95,73 KB)
PDFHSM1100JE3/TR13 Datasheet Copertura
HSM1100JE3/TR13 Datasheet Pagina 2

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HSM180JE3/TR13 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If840mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 80V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214BA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214BA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

0.9pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

VS-30ETH06FP-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 30A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2 Full Pack

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.23V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 1800V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 900V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ES1LG M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

R4260F

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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