HN2D01JE(TE85L,F)

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Numero parte | HN2D01JE(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | HN2D01JE-TE85L-F | ||||||||||||||||||
Descrizione | DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV | ||||||||||||||||||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 346.799 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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HN2D01JE(TE85L Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | HN2D01JE(TE85L,F) |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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HN2D01JE(TE85L Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100mA |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ESV |
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